Samsung cria o primeiro chip de memória flash de 900 camadas do mundo

De acordo com um relatório do ETNews, a Samsung criou o protótipo com classe de 900 camadas usando uma tecnologia chamada Cell Multi-Bonding (CMB), que funde dois wafers de células com 450 camadas em um único chip. A técnica permite à Samsung aumentar drasticamente a densidade de armazenamento ao mesmo tempo em que reduz o consumo de energia — qualidades cada vez mais valorizadas para cargas de trabalho de computação com IA.

A Samsung foi a primeira empresa a comercializar chips de memória flash 3D V-NAND em 2013, utilizando um processo que perfurava e empilhava buracos microscópicos em uma única etapa. À medida que as alturas de empilhamento aumentaram, a empresa enfrentou desafios como empenamento de wafers e desalinhamento das camadas, que foram resolvidos com um design avançado de Upper Chuck e a tecnologia de Correção de Sobreposição (Overlay Correction). A Samsung também aprimorou suas estruturas de Bitline e Wordline para reduzir o consumo de energia e o tamanho do chip.

Pressões Competitivas

O avanço ocorre em um momento em que a Samsung enfrenta uma concorrência cada vez mais acirrada em duas frentes. A SK Hynix lidera atualmente o segmento de NAND de alta camada, com seus chips de 321 camadas já em produção em massa. Enquanto isso, a chinesa Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) iniciou a produção em massa de chips NAND de 294 camadas, com o suporte de investimentos governamentais e uma crescente localização dos equipamentos de fabricação.

A Samsung se prepara simultaneamente para a produção em massa de chips NAND flash de 10ª geração com 400 camadas, ao mesmo tempo em que avança na marca de 900 camadas em sua fase de pesquisa. Executivos da empresa já estabeleceram a meta de superar 1.000 camadas até 2030.

A Demanda por IA Impulsiona a Corrida

A busca por maior número de camadas reflete a demanda crescente por armazenamento impulsionada pelas cargas de trabalho de inteligência artificial. O NAND de alta densidade é essencial para o armazenamento e a recuperação de dados em larga escala que os sistemas de IA exigem, tornando a corrida pelo número de camadas um indicador de competitividade no mercado de infraestrutura de IA como um todo. O protótipo da Samsung, embora ainda não esteja pronto para a produção comercial, sinaliza que a empresa pretende liderar a próxima geração de tecnologia de memória flash em vez de ceder terreno para seus concorrentes.